电针对脑缺血再灌注大鼠血脑屏障保护机制研究
【摘要】 目的探讨电针人中、百会对脑缺血再灌注大鼠BBB损伤的作用机理，为针刺治疗脑卒中提供科学依据。方法选用健康雄性SD大鼠，随机分为正常对照组、模型组和电针组，采用Longa线栓改良法建立大鼠脑缺血再灌注（MCAO）模型，电针组在造模成功后电针刺激人中、百会30min。采用神经功能缺损评分、CV染色法测定脑水肿肿胀率、免疫组织化学法与Westernblot方法检测MCAO大鼠脑组织中ZO-1表达及以透射电镜观察大鼠右侧脑组织纹状体组织超微结构的变化。结果随着缺血再灌注时间的延长，大鼠神经功能缺损及BBB损伤程度均随再灌注时间延长而逐渐加重，而电针组的大鼠神经功能缺损程度明显低于模型组;模型组大鼠在缺血再灌注6h缺血侧脑半球开始肿胀，并于72h达到高峰，电针组大鼠在缺血再灌注24h、48h、72h与模型组比较，差异有显著性（P<0.05或P<0.01）;随着缺血再灌注时间的延长，模型组ZO-1蛋白表达显著降低，显著低于电针组，在缺血再灌注24h、48h和72h经统计学处理，有显著性差异（
