准备层温度对黄光LED光电特性和老化性能的影响
【摘要】 研究了响。InGaN/GaNSiGaNLED超晶格准备层的生长温度对衬底基黄光光电特性和老化性能的影研究发现准备层生长温度较高的样品外量子效率高于准备层生长温度较低的样品电流下老化后准备层生长温度较高的样品的光衰相对更大老化前后。100K，1000h样品老化后的空穴注入途径发生变化;观察到两个样品老化前均出现大量暗斑老化后光衰大的样品非辐射复合中心增加的程度更大荧光显微镜高温样品的颜色更深更黑低温样品颜色则相对较浅且呈红色老。。，，，，化后高温样品的暗斑数量有所增加而低温样品数量变化不大这可能也是导致超晶格温度高的样品光衰更。500mA的电致发光光谱显示高温生长的大的原因之一。关键词:硅衬底
