溅射功率对磁控溅射法制备MgF2薄膜组织和性能的影响（英文）
【摘要】 为了减少磁控溅射法沉积MgF2薄膜的F贫乏缺陷,在工作气体Ar2中加入SF6作为反应气体,在石英玻璃衬底上用射频磁控溅射法制备了MgF2薄膜,研究了溅射功率对MgF2薄膜化学成分、微观结构和光学性能的影响。结果表明,随着溅射功率从115W增加到220W,F:Mg的原子比不断增加,185W时达到2.02,最接近理想化学计量比2:1;薄膜的结晶度先提高后降低,最后转变为非晶态;MgF2薄膜的颗粒尺寸先是有所增加,轮廓也变得更加清晰,最后又变得模糊。MgF2薄膜的折射率先减小后增大,在185W时获得最低值,550nm波长的折射率1.384非常接近MgF2块体晶体;镀膜玻璃在300~1100nm范围内的透光率(以下简称薄膜透光率)先增大后减小,185W时达到94.99%,比玻璃基底的透光率高出1.79%。关键词:MgF2薄膜;F贫乏;透光率;减反射;溅射功率;磁控溅射
