快速电沉积氧化锌纳米柱及其非辐射复合
【摘要】 能够对纳米柱的形貌与光电物理性质进行操控纳米柱阵列需要以高沉积速率生长，ZnO使用电沉积方法制备纳米柱阵列ZnO。并，在主电解液中加入了六次，纳米柱ZnO六次甲基四胺能够大幅提升。纳米柱阵列的形貌与光电物理性质进行了测试分析甲基四胺对所制备的，ZnO纳米柱的生长速率ZnO米柱的直径与阵列密度得到有效降低相比未使用六次甲基四胺的电解液配方，，ZnO纳米柱的生长速率提高了纳米柱间距增大至，58nm。六次甲基四胺的引入使356%。同时纳，纳米柱的光学带隙ZnO非辐射复合受到抑制近带边发射、、。斯约红移了在六次甲基四胺的作用下纳米柱的斯托克斯位移减小0.12eV。通过使用六次甲基四胺实现了，ZnO，ZnO0.15eV，纳米柱的快速电沉积生长同时实现了对纳米柱的光学带隙，托克斯位移
