28nm多晶硅侧墙孔洞缺陷检测与改善方案研究
【摘要】 针对28nm技术节点产品发生的多晶硅侧墙孔洞缺陷，探索建立了全新的缺陷检测流程。应用光学检测系统，建立了多晶硅侧墙孔洞缺陷的在线监控指标，并据此评估了缺陷的改善方案。对缺陷检测流程进行了创新:通过失效分析结果，推论了缺陷的失效机理与模型，按照此模型，建立全新的缺陷检测流程，应用光学扫描系统建立了缺陷的在线监控指标，被用于在线缺陷改善。根据实验结果，进一步验证了缺陷形成的机理。通过优化氮化硅沉积厚度以及去除时间，优化氧化物沉积工艺条件等，使缺陷问题得到解决。创新的缺陷检测流程为缺陷检测带来了便利，针对原本处于多晶硅侧墙上无法被检测的孔洞缺陷，建立了全新的监控指标。缺陷在线监控指标的建立为在线工艺改善提供了依据，与良率测试结果相比，加快了先进制程产品的研发进度。
