HCVD方法中生长温度和氨气流量对InN晶体结构和形貌的影响
【摘要】 实验以升华温度较低的三氯化锢(InCl3)为锢源，通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置扩大了川、V族源共混生长区域，实现了InN在Si(lll)衬底上的生长。探讨了生长温度与氨气流量对InN结构和形貌的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对InN的晶体结构、形貌和元素组成进行表征。分析结果表明:固定NH3流量，随着生长温度的升高，InN形貌由分离的薄片状转变为交织的圆饼状，其中非极性(100)晶面取向性增强，晶体质量得到改善;保持生长温度恒定，增加氨气流量，InN形态由圆饼状转变为垂直的柱状，晶体取向从由非极性面(100)为主向极性(002)面为主的趋势转变。本实验研究对InN纳米材料的可控生长具有指导作用。
