新结构GaN_HEMT器件机理及电流崩塌效应研究
【摘要】 提出一种新型E化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）结构改善器件的电流崩塌效应的电流崩塌效应改善机制和有效性进行研宄。靠近漏端的电场峰值是引起HEMT电流崩塌的关键因素构中耗尽区扩展，承担了一部分原来集中在漏端的电场电子从电场获得能量减小，跃迁出沟道被缓冲层陷阱俘获的概率降低，HEMT相比，新结构器件电流崩塌量从13.6%降低为3.3%。对凹槽场板结构参数进行优化分析，将该处的高电场峰值分解为两个较低电场峰值，沟道电流崩塌效应得到改善。与常规结构，对新结构器件场板长度为，新结，jim、
