CoSiB/Pt多层膜垂直磁各向异性及热稳定性
【摘要】 采用磁控溅射方法在单面附有300nmSiO2的单晶硅基片上制备了以Pt为底层的CoSiB/Pt多层膜样品。CoSiB/Pt层周期数确定为2，对样品底层厚度及周期层厚度进行调制，根据反常霍尔效应系统地研究了CoSiB/Pt多层膜垂直磁各向异性（perpendicularmagneticanisotropy，PMA）及薄膜的热稳定性。通过对这些参数的调节获得了具有良好垂直磁各向异性的最佳多层膜样品结构Pt（1）/[CoSiB（0.5）/Pt（1）]2，底层Pt和周期层中CoSiB，Pt的最佳厚度分别为1，0.5nm和1nm。对最佳样品进行XRD图谱分析，磁滞回线测量以及一系列退火处理。结果表明，样品具有明显的（111）CoPt衍射峰，形成了较好的（111）织构，界面耦合增强，结晶度较好，计算出样品的有效磁各向异性常数Keff达到5.11×104J
