ITO退火工艺对HADS型TFT-LCD透过率的影响
【摘要】 HADS型TFT基板制程中通常存在两次ITO退火工艺，而Cell制程中则存在相似的配向膜高温烘焙工艺。为提升TFT产线退火工序的产能，因此考虑对ITO退火进行时间上的缩减甚至直接省略，然后利用配向膜烘焙的热处理对前层ITO的结晶进行补偿，但ITO结晶方式的变化还需确保产品高透过率特性。对比实验的结果表明:单层ITO退火时间由30min缩减至10min时，产品的透过率基本保持不变;2ndITO退火直接省略时产品仍具备高的透过率特性，但1stITO退火省略时产品的透过率则会大幅降低，其主要原因是钝化绝缘层的阻隔导致了1stITO中的亚氧化物无法被后工段的热处理所氧化，而配向膜涂覆后的2ndITO在烘焙过程中仍可以与外界高温空气结合反应。在确保产品高透过率的前提下，选择从源头上减少了1stITO内亚氧化物的产生，通过增加1stITO成膜时的氧气流量也可以实现1stITO退火的直接省略。最终两次ITO退火均可被配向膜烘焙所替代且产品兼具高透过率特性，最大化地提升了TFT产线的生产效率。关键词:氧化铟锡;退火;薄膜晶体管;透过率
