氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO2气敏性能研究
【摘要】 针对多孔硅气敏传感器在室温下对气体灵敏度较低然后在多孔硅顶部溅射沉积金属钨薄膜并经高温热处理氧化形成传感器多孔硅材料进行了纳米线NO2对和。WO3/分析，测试了传感器室温下对WO3纳米线，制备出选择性不强的问题，采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅，、纳米线修饰多孔硅结构及其气敏结果表明，制备所制备的传感器的气敏特性纳米线的生长密度室温探测能力与选择性，对WO3NO2。。SEMXRD，此温度下增加金属钨膜溅射时间可提升金属钨的样品显示出优异的4×10-6NO2WO3NO2纳米线的最佳热处理条件是NO2700℃气体表现出反型气敏响应，特别是溅射WO3对的气敏灵敏度是单纯多孔硅样品的
