SiC_MOSFET驱动参数的协同控制研究
【摘要】 碳化硅：SCi（）有限公司：驱动参数Cooperatioftheirtransienttiphswi^t.lchip献标识码.IBybuilnsgpdngadoubile-gppressitransispinggiliconcarbtor；drivforSiinivefutprelillptalytgpideidexeristcsofSiCmetal-ierimenatationshilpparameterslatform；gf精确预测引发电压超调了，二极管iSCMOSFETSB（D、高频振，严重。一种用于开关特性的分析模型，并不同寄生参数对开关特性的影SCMOSFETi与换流单元瞬态模型）S，iC肖特基势垒可以较为精细地体现器件的开关行为特征且能较为准确的计算开关损耗3［1。文献［）开关特性的调控规律-1，dev）yp-liceshasarametersoss4］00X（20200）10077-in1，CONGPe，greatlCh30062yii，ncc-i日期作者简介=
