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长波碲镉汞探测器RV特性分析

【摘要】 对硼离子注入制备的NonP平面结长波碲镉汞探测器的RV曲线进行分析，研究不同偏压下暗电流机制，提取得到探测器的电学参数及理想因子，表明为提升器件性能，需要对探测器的陷阱辅助隧穿电流及产生复合电流进行抑制。通过对长波碲镉汞探测器RV曲线的拟合分析，表明RV拟合技术作为一种有效的分析方法，可用于评估器件性能和工艺状态，并指导工艺改进。

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