黄绿光发光二极管光衰性能研究
【摘要】 AlGaInP是GaAs（565~575nm），有源区主要材料基因其材料组成较接近间接带隙LED载流子损耗为主非复合辐射中心损耗、、型掺杂层掺杂浓度对发光光衰的影响、P型层前端插入一层厚度20nm广泛应用于黄绿光至红光波段的，但在短波段尤其是目前黄绿光功率衰减量子阱相同厚度、生长温度及，1.7×1018cm-3浓度的高掺杂层三种方案可以改善黄绿光发光二极其发光效率和稳定性存在问题，所以研究相同生长温度不同阱垒厚度。发现较薄的阱垒厚度较高的LED。MQWMQW。。、黄绿光波段以俄歇复合损耗不同生长温度后端P-space管光衰性能P。发光二级管;黄绿光;光衰;多量子阱
