化学气相沉积法制备氧化镓纳米线1，213王汐璆，庄文昌
【摘要】 β-Ga2O3纳米线是一种新型具有强发光特性的宽带隙半导体材料，作为探测器性能稳定且可靠，近年来受到了极以Ag纳米颗粒为催化剂，在Si（100）衬底上生长了β-Ga2O3纳米线，大的关注。本文主要采用化学气相沉积法（CVD），SEM、TEM等技术表征，证明其大部分遵循VLS生长机理，少许遵循VS机制。其中遵循VLS生长机制的经EDS、β-Ga2O3纳米线更细更长，其形貌均匀一致，长度约为230～260μm，直径约为150～180nm，且Ag颗粒皆在纳米线顶部。
