SiC光触发晶闸管的研制与特性分析
【摘要】 碳化硅Vocs光触发晶闸管的研制与特性分析王2i，。男，陕西西安人，博士研究方，系统的可靠性，。若将台作为脉冲放电开关SiCLTT，应用于电磁武器平以光触发代替电触发则在，SCi光触发晶闸管的研制与特性分析能够缩减平台驱动电路体积与质量的同时可大，幅提高系统的抗电磁干扰能力18因此］。对，的研制工作，测试与分析。并对所研制的开展了S，i所设计Si图器件结构见图CLTT为改善。LTT阳极发射结空穴注入效率低问题所设计LTT采用S层型短基区结构n其中双层，短基区结构上层轻掺杂层厚度为掺杂层杂质浓度2x下层杂质浓度为2x透明且110l5c73m、-cmi。型n1，.7mpSiCLTT采用了无门极槽结构使器件制造工艺得到简化，杂?浓度＇-0120。SiCLTT外延层结构横断面i.i基于上述制造工艺实验i，首先对。S/3mcZm71x0l3u1弋050N的器件SCLITi掩膜通过干法02Si标RCAC面并在氮气气氛保护下进i，的快速退火形成阴极欧姆接触2mni，；之后在外延层上表面通过光
