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GaN HEMT逆压电效应及退化机理研究

【摘要】 GaNHEMT器件在高压、高频、大功率应用领域中具有广泛的应用前景，但逆压电效应是其高可靠应用中面临和亟待解决的重要问题。本文系统梳理了国内外的文献报道，研究了GaNHEMT存在的逆压电效应，分析了逆压电效应导致的器件性能退化机理，定位了逆压电效应引起器件的结构损伤位置，最后给出了抑制逆压电效应的方法，以期提高GaNHEMT的可靠性。

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