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高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备

【摘要】本文采用导模法生长技术，成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶，掺杂浓度为2×1018cm-3。晶体呈现淡蓝色，通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征，结果表明晶体质量良好。紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71eV。此外，在剥离衬底上，采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管，平均击穿场强EAva为2.1MV/cm，导通电阻3mΩ·cm2，展示了优异性能。

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