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族氮化物半导体材料的制备及应用研究进展

【摘要】随着第二代半导体的逐渐落后，Ⅲ族氮化物半导体作为具有优良性质的最新一代的半导体材料，已经登上历史的舞台。综述重点归纳了以BN、AlN、GaN、InN为代表的Ⅲ族氮化物纳米材料的典型制备方法、目前的应用现状，并对存在的问题加以总结。