不同Hf浓度Hf:Ce:Fe:LiNbO3晶体居里温度和抗光损伤性能

【摘要】 通过单晶提拉法生长了一系列不同Hf4+(2,4,6,8mol%)离子浓度的Hf:Ce:Fe:LiNbO3晶体。为了研究不同Hf4+离子掺杂浓度对Hf:Ce:Fe:LiNbO3晶体居里温度和抗光损伤能力的影响,采用差热分析仪测量出Hf:Ce:Fe:LiNbO3晶体差热分析曲线并且分析了晶体的居里温度变化,用光斑畸变法测量了晶体的抗光损伤能力。测试结果表明:当Hf4+离子掺杂量4mol%时居里温度提高了20℃并且达到最大值1224℃。随着晶体中Hf4+离子浓度的增加,晶体的抗光损伤能力提高。掺杂Hf4+(8mol%)离子浓度Hf:Ce:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力比掺杂Hf4+(2mol%)离子浓度Hf:Ce:Fe:LiNbO3晶体提高了两个数量级。