CsPbI3复合TiO2纳米管阵列的制备及表征
【摘要】 为提高二氧化钛纳米管阵列(TiO2NTAs)的光电化学性能，对其进行半导体复合改性处理。采用阳极氧化法制备得到TiO2NTAs，热注入法制备得到全无机钙钛矿CsPbI3，浸渍法实现CsPbI3与TiO2NTAs的复合，制备得到不同浸渍次数的CsPbI3/TiO2NTAs。通过一系列光电性能测试表明，经CsPbI3复合改性处理后，TiO2NTAs的光电化学性能有明显的提高，且经4次浸渍得到的CsPbI3/TiO2NTAs光电性能最佳，其饱和光电流密度为0.92mA/cm2，约为TiO2NTAs的2.97倍，且对应的光转换率最高约为0.55%。除此之外，其瞬态光电流密度最大，约为0.69mA/cm2，并表现出最佳的光响应特性。
