6H-SiC单晶紫外光催化抛光中光照方式和磨料的影响
【摘要】 色变化和羟基自由基（·OH）浓度，研究无光照、光照抛光盘、光照抛光液硅、二氧化硅、二氧化钛、硅溶胶单晶。用分光光度法定性检测不同光催化反应时间下甲基橙颜种光照方式及金刚石、碳化单晶抛光的影响。结果表明:随着光照时间增加，种磨料对6H-SiC356H-SiC浓度增加;在·OH无光照的规律，且光照抛光液时的催化辅助作用对3种光照方式下，不同磨料的材料去除率（MRR）均呈现光照抛光液>18%~58%。随磨料硬度降低，光的提高幅度升高，即紫外光催化辅助作用越明显;金刚石、碳化硅、二氧化硅、硅溶的增大而减小，但二氧化钛磨料的则相反，原因是二氧化钛比无光照时的光照抛光盘提升了MRRMRR>MRRMRR表面的化学反应速率，使其化学反应速率大于机械去除速率。SiC4种磨料抛光后的表面粗糙度都随胶磨料同时兼作光催化剂，增强了
