InGaAs/InP界面控制对InGaAs薄膜电学和光学性质的影响
【摘要】 研究了全固态源分子束外延（MBE）生长InGaAs/InP异质结界面扩散对InGaAs外延薄膜电学和光学性质的影响.通过X射线衍射、变温霍尔测试和变温光致发光等方法对InGaAs薄膜样品进行细致研究.发现在InGaAs/InP生长）外延薄膜的电学性能，界面之间插入一层利用As其低温迁移率显著提高.同时荧光峰反常蓝移动消失，光学性质有所改善.研究表明利用As可显著降低As在M>中反常扩散，获得陡峭的InGaAs/InP界面，从而提高InGaAs材料电学和光学性能.关键词:InGaAs中图分类号:〇78文献标识码:A
